报告题目：二维多铁材料磁电耦合机制研究
报告人：彭波 教授
时间：2024年10月18日10:00
地点：田家炳楼平星报告厅（203）
邀请人：董帅 教授
报告人简介：
彭波，教授/博导，电子科技大学，国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心。作为项目“首席”科学家主持了重大重点项目10余项。近五年以第一/通讯作者发表论文20余篇，包括Nature（1篇）、Nat. Nanotechnol.（1篇）、Sci. Adv.（1篇）、Nat. Commun.（1篇）、Adv. Mater.（1篇）、Nano Lett.（5篇），其中Nano Lett.、ACS Nano封面论文2篇。受邀在Nano Res.等期刊发表特邀论文6篇。在 “PIERS”等国内外会议上做特邀报告40余次。
主要学术成果如下：
一、发现并证实了原子层厚度二维多铁材料，突破了二维极限下本征磁电耦合“难”的科学难题。
报告人发明了微纳尺度磁-光-电联合时空成像系统，解决了二维多铁性鉴定“难”的技术瓶颈；揭示了二维磁性/铁电性/反铁电性三者共存耦合的机制；揭示了电场/磁场调控铁电与反铁电性的动力学规律，实现了本征强磁电耦合与调控。
二、发展了一类范德华异质结多铁材料，实现了零磁场电压控磁，解决了铁磁铁电本征直接耦合“难”的科学难题。
报告人阐明了二维铁电铁磁界面耦合机制，揭示了CrI3/In2Se3异质结多铁中电极化诱导层间自旋重构增强层间铁磁耦合的规律，揭示了CrI3/HfO2异质结多铁中电荷/电压协同调控Cr-d轨道杂化增强铁磁耦合与相变的机制；突破了二维铁磁铁电异质结直接强耦合关键技术，促进了铁磁铁电由四阶耦合（P2M2）向二阶耦合（PM）发展，实现了零外磁场、非易失电压调控磁化翻转。