物理学院王金兰教授、马亮教授团队与合作者的成果入选2022年度中国半导体十大研究进展

发布者:蒋红燕发布时间:2023-01-20浏览次数:711

20231月,由248位半导体领域专家组成的评选委员会经过严格评审,评选出10项优秀成果荣膺2022年度“中国半导体十大研究进展”,物理学院王金兰教授、马亮教授团队与合作者的成果成功入选。

王金兰,马亮团队与南京大学王欣然,李涛涛紧密合作,提出了衬底表面台阶高度精确调控二维半导体层数的思想和“齐头并进”的全新生长机制,突破逐层生长的热力学限制,首次实现了厘米级均匀的双层MoS2外延生长,刷新了二维半导体器件开态电流的纪录,并满足2028年国际器件与系统路线图的技术指标。该成果20225月份在线发表于《自然》杂志(Nature, 2022, 605, 69-75)。

双层MoS2的大面积外延生长


《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物,1980年创刊,首任主编是王守武院士,黄昆先生撰写了创刊号首篇论文。《半导体学报》于2020年首次启动“中国半导体十大研究进展”评选活动,旨在遴选、记录我国在半导体基础研究领域的年度标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位,本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生,并于下一年度春节前公布。