6月28日学术报告:“自旋电子学材料的分子设计”

发布者:吉鑫发布时间:2019-06-25浏览次数:142

题目:自旋电子学材料的分子设计

报告人:杨金龙    (中国科学技术大学微尺度物质科学国家研究中心,中科大副校长)

时间 6月28日(周五) 下午 14:00 

地点:  田家炳楼南205室

邀请人:王金兰

  

摘要:自旋电子学利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储,具有目前传统微电子学器件无法比拟的优势,例如运算速度快,能耗低等,因而成为近年来人们研究的热点。然而,自旋电子学应用仍面临着三大挑战:自旋的产生和注入,自旋的长程输运,以及自旋的调控和探测。这些问题大部分都可以通过设计具有特定性质的自旋电子学材料得到解决,包括各种磁性半导体材料,半金属材料等。在本报告中,借助于第一性原理计算,我们着眼于从分子层面对自旋电子学材料进行自下而上的设计,包括设计实验上易于制备的半金属材料、具有电场调控自旋功能的新型双极磁性半导体材料、以及在室温环境下可用的金属有机亚铁磁半导体材料,为自旋电子学器件的合成和应用铺平道路

报告人简介:杨金龙,男,1966 年1月生于江苏。中国科学技术大学教授,教育部长江学者特聘教授,国家杰出青年科学基金获得者,国家重点研发计划项目首席科学家,基金委创新研究群体负责人。1991年获中国科学技术大学理学博士学位。研究领域为理论与计算化学,在国际学术期刊上发表论文500余篇。合作研究成果于1999年和2001年两次被科技部评为中国基础科学研究十大新闻,于2001年、2005年和2013年三次入选两院院士评选的中国十大科技进展新闻,入选教育部评选的2009年度中国高校十大科技进展。曾获得教育部首届高等学校优秀青年教师奖、中国分析测试学会“CAIA”奖特别奖、国家自然科学二等奖、第九届中国青年科技奖等奖项。