05
双层二维半导体大面积外延生长
南京大学王欣然、李涛涛与东南大学王金兰、马亮团队紧密合作，提出了衬底表面台阶高度精确调控二维半导体层数的思想和“齐头并进”的全新生长机制，突破逐层生长的热力学限制，首次实现了厘米级均匀的双层MoS2外延生长，刷新了二维半导体器件开态电流的纪录，并满足2028年国际器件与系统路线图的技术指标。
该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2022, 605, 69-75）。
王金兰教授团队
05
双层二维半导体大面积外延生长
南京大学王欣然、李涛涛与东南大学王金兰、马亮团队紧密合作，提出了衬底表面台阶高度精确调控二维半导体层数的思想和“齐头并进”的全新生长机制，突破逐层生长的热力学限制，首次实现了厘米级均匀的双层MoS2外延生长，刷新了二维半导体器件开态电流的纪录，并满足2028年国际器件与系统路线图的技术指标。
该成果发表于《自然》杂志（Nature, 2022, 605, 69-75）。