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6月5日学术报告:新型III-V族半导体纳米线材料生长与器件应用

报告题目: 新型III-V族半导体纳米线材料生长与器件应用

报告人: 陈效双 研究员 红外物理国家重点实验室主任,国家杰青

时间: 65号(周二)下午3:30pm

地点: 田家炳楼南203

邀请人: 王金兰

欢迎各位老师、同学参加!

 

摘要:III-V族半导体纳米线在光电子领域巨大应用潜力,使得实现高质量、特定结构、电子态可控的纳米线成为国际的热点。报告将从实验和理论相结合介绍III-V族纳米材料制备、生长机理和特异光电性质及其应用的最新进展。通过量子线生长机理的认识,实现对其生长途径的控制,制备单纳米线的红外探测器件结构,讨论单纳米线的光电流响应与微结构的关系,进一步介绍纳米线复合结构的光电响应,探讨其在红外光电子器件中的应用。

 

参考文献:

1Distinct Photocurrent Response of Individual GaAs Nanowires Induced by n-Type Doping, ACS NANO 6, 6005-6013(2012).

2Phase Separation Induced by Au Catalysts in Ternary InGaAs Nanowires, Nano Lett. 13, 643650(2013).

3Anomalous and Highly Efficient InAs Nanowire Phototransistors Based on Majority Carrier Transport at Room Temperature, Adv. Mater. 26, 8203 (2014).

4Catalyst Orientation-Induced Growth of Defect-Free Zinc-Blende Structured < 00(1)over-bar > In As Nanowires, Nano Lett. 15, 876(2015)

5Single InAs Nanowire Room-Temperature Near-Infrared PhotodetectorsACS Nano 8, 3628 (2014)

6When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field–High-Performance Full-Depleted Nanowire PhotodetectorsNano Lett. 16, 2548(2016)

7Visible Light-Assisted High-Performance Mid-Infrared Photodetectors Based on Single InAs Nanowire , Nano Lett. 16, 6416(2016).

8Arrayed Van Der Waals Broadband Detectors for Dual-Band Detection, Adv. Mater. 29, 1604439(2017).

 

简介:陈效双,研究员,红外物理国家重点实验室主任,获国家杰出青年科学基金,中国科学院百人计划上海市青年科技启明星,上海市优秀学科带头人计划,上海市领军人才。新世纪百千万人才工程国家级人选,享受国务院政府特殊津贴。获国家自然科学奖二等奖1项,国家科技发明奖二等奖1项,上海市自然科学牡丹奖1项,上海市自然科学一等奖1项,其它省部级科技进步奖4项。多次获中国科学院优秀博士生指导教师和中国科学院优秀研究生指导教师。

先后承担国家重点基础研究发展规划“973”项目,国防“973”项目,国家自然科学基金重大项目和重点项目,国家自然科学杰出青年基金,中国科学院创新工程项目,上海市科学技术委员会重大和重点项目等国家和省部级科研项目10余项。

近年来主要从事半导体红外光电子材料与器件,光子人工带隙微结构的光子学和纳米材料的电子性质研究,围绕国际学科发展的前沿和国家重大需求开展工作,解决了半导体光电子材料物理和器件中许多复杂的问题。在国际SCI刊物Nat. Commun.Phys. Rev. Lett., JACS, Nano Lett., Adv. Matt.PNAS等发表论文160余篇,论文被SCI刊物他人引用5000余次,授权和申请发明专利10项。

 

 

 

 

动态信息录入:蒋红燕    责任编辑:蒋红燕 
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